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武汉科美芯电气有限公司

日立ABB IGBT模块，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模块，Lite-On（光宝）光耦驱动...

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日立ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V专利自 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33 mVDClink= 1400 V 专利自由漂浮 		2025-06-18
日立ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技 		2025-06-18
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